»姓名：刘云杰

»系属：物理实验中心

»学位：博士

»职称：副教授

»学科：材料物理

»导师类别：硕导

»电子邮箱：liuyunjie@upc.edu.cn

»联系电话：15216397986

»通讯地址：山东省青岛市黄岛区长江西路66号（邮编：266580）

»概况

◎研究方向
1.气体传感器件：重点研究气体敏感材料的可控制备和传感器阵列的有效集成关键技术，发展呼吸性硫化物和环境毒害气体检测的柔性高效可穿戴传感器件。

2.光电响应材料与光电探测器件：主要研究新型二维半导体材料制备和器件集成技术，研制高效光电探测器件与光谱分析技术。

3.理论计算：对材料进行气体吸附和分离以及上述实验的理论计算。

◎学习与工作经历
   1998.9-2002.7，烟台师范学院，物理学士；
   2002.9-2005.3，电子科技大学，材料物理与化学硕士；
   2011.9-2016.12，中国石油大学（华东），材料学博士；
   2005.4-2008.4，中国石油大学（华东），物理实验中心,助教；
   2008.5-2016.8，中国石油大学（华东），物理实验中心,讲师；
   2016.9至今，中国石油大学（华东），物理实验中心，副教授。

◎主讲课程
   1.主讲本科生必修课。《大学物理实验2-1》《大学物理实验2-2》《普通物理2-2》《基础实验2》等课程

◎指导研究生
累计协助指导博士研究生1名，硕士研究生6名。

◎承担和参与项目
   1.近年来，主持的代表性科研项目：
（1）二硫化钼-硅异质结材料的制备、微结构与氢气敏感性能研究，国家自然基金，2016-2018。
（2）大面积柔性 WS₂/Si 异质薄膜制备与高灵敏H2响应性能研究，山东省自然基金，2021-2023。
（3）铂系贵金属加氢脱硫机理的理论研究，校自主创新，2010-2013。
   2.近年来，参与的代表性科研项目：
（1）大面积柔性SnSe/Si异质薄膜的取向生长与高效光电探测性能研究，国家自然基金，2020-2023。

（2）MoS2/Si异质薄，膜的界面修饰机制和光伏性能研究，自主创新项目，2018-2020。

（3）Pd掺杂对MoS₂/Si异质薄膜光电性能调控机理研究，2016-2019。

（4）MoS₂/Si异质薄膜的取向生长、掺杂效应及光伏性能研究，自主创新项目，2014-2016.

（5）MoS₂/Si异质薄膜的取向生长、掺杂及光伏性能研究，校科技专项，2014-2016。

（6）LiNbO₃/ZnO异质结的制备及电学性能，国家自然基金，2012-2014。

（7）LiNbO₃/GaN异质结的制备及电学性能，山东省自然基金，2010-2012。

（8）LN/GaN异质结构的制备与电学性能研究，山东省自然基金，2010-2012。

◎获奖情况（除教师个人获奖之外，还包含指导学生获奖情况）
新型MoS₂/Si异质结器件的构筑与界面效应. 山东省科技厅三等奖，厅局级，2020，排名第2。

◎论文
   1.第一作者主要论文：

(1) VO₂/MoO₃ Heterojunctions Artificial Optoelectronic Synapse Devices for Near-Infrared Optical Communication[J]. Small, 2024.

(2) High-Performance Flexible Broadband Photothermoelectric Photodetectors Based on Tellurium Films[J]. ACS Applied Materials and Interfaces, 2024, 16.

(3) Flexible broadband WS₂/Si optical position-sensitive detector with high sensitivity and fast speed[J].International Journal of Minerals, Metallurgy and Materials, 2023,30(6).

(4) Si/SnSe-Nanorod Heterojunction with Ultrafast Infrared Detection Enabled by Manipulating Photo-Induced Thermoelectric Behavior[J]. ACS Applied Materials and Interfaces, 2022, 14.

(5) High-Performance Stretchable Photodetectors Based on Epitaxial CdTe Ultrathin Films [J]. Journal of Materials Chemistry C, 2022, 10.

(6) Self-powered broadband α-MoO₃/Si photodetector based on photo-induced thermoelectric effect [J].Ceramics International, 2022, 48.

(7) Pd-decorated 2D SnSe ultrathin film on SiO₂/Si for room-temperature hydrogen detection with ultrahigh response[J]. Journal of Alloys and Compounds, 2021(851).

(8) Photothermoelectric SnTe Photodetector with Broad Spectral Response and High On/Off Ratio[J]. ACS Applied Materials & Interfaces, 2020 (12).

(9) Electrical characterization and ammonia sensing properties of MoS₂/Si p–n junction [J]. Journal of Alloys and Compounds, 2015, 631(1): 105-110.

(10) Density functional theory study of hydrogenation of S to H₂S on Pt–Pd alloy surfaces [J]. RSC Advances, 2016, 6(8).

(11) Fabrication and Enhanced Photovoltaic Properties of Pd:MoS2/Si Solar Cells[J].Advanced Photonics Congress, 2016.

(12) Growth and humidity-dependent electrical properties of bulk-like MoS₂ thin films on Si [J]. RSC Advances, 2015, 5(91).

(13) Hydrogen gas sensing properties of MoS₂/Si heterojunction [J]. Sensors and Actuators B: Chemical, 2015, 211(1).

(14) Photoswitching Characteristics of LiNbO₃/ZnO/n-Si Heterojunction[J]. Key Engineering Materials, 2015 (655).

(15) MoS₂/Si异质薄膜综合实验研究, 实验技术与管理, 2017, 3（34）.

2.第二作者（通讯作者）主要论文：

(1) High-performance Si/VO2-nanorod heterojunction photodetector based on photothermoelectric effect for detecting human radiation[J].Rare Met, 2024

(2) All-in-One Optoelectronic Logic Gates Enabled by Bipolar Spectral Photoresponse of CdTe/SnSe Heterojunction[J].ACS Appl. Mater. Interfaces, 2023, 15.

(3) Flexible SnSe Photodetectors with Ultrabroad Spectral Response up to10.6 μm Enabled by Photobolometric Effect[J]. ACS Applied Materials & Interfaces, 2020(12).

(4) Wafer-size growth of 2D layered SnSe films for UV-Visible-NIR photodetector arrays with high responsitivity[J]. Nanoscale, 2020(12).

(5) Flexible Pd-WS₂/Si heterojunction sensors for highly sensitive detection of hydrogen at room temperature[J]. Sensors and Actuators B: Chemical, 2019(283).

◎专利
1.一种以绝缘基片为衬底的碳-铝-碳半导体薄膜材料及制备方法，ZL201610902726.3，2018年。

2.一种MoS₂/Sip-n结太阳能电池器件及其制备方法，ZL201410699047.1， ZL201410699047.1，2017年。

3. Pd/MoS₂/SiO₂/Si/SiO₂/In多结红外光探测器件及其制备方法， ZL201510386608.7，2017年。

4.一种具有ITO/Pd双层结构复合电极的MoS2/Si异质结光伏器件及其制备法， ZL201610902913.1， 2017年。

5.一种二硫化钼/缓冲层/硅n-i-p太阳能电池器件及其制备方法， ZL201510034090.0，2016年

6.一种Pd-MoS₂异质结光伏太阳能电池器件及其制备方法， ZL201510558994.3，2016年。

7.一种MoS₂/Ag/MoS₂半导体薄膜材料及其制备方法，ZL201610902366.7，2019年。

8. 一种超宽频带的薄膜光电探测器件及其制备方法，ZL201910850035.7，2021年

9. 一种具有室温超快红外响应的SnSe纳米棒阵列异质结器件及其制备方法，ZL202111230907.3，2024年。

◎学术兼职
担任ACS Applied Nano Materials等国际期刊审稿人