1978年10月生，现为材料物理与化学系副教授。目前，主要从事电子薄膜与集成器件、能源与环境新材料和器件等方面的研究工作。承担或已完成国家自然科学基金2项、山东省自然科学基金2项、自主创新项目2项，并曾参与“973”、国家自然科学基金重点项目、教育部科技创新项目等项目的部分研究工作。2014年入选“中国石油大学（华东）拔尖人才支持计划”。在Nanoscale、Sensors and Actuators B、Applied Physics Letters等国内外重要期刊上发表学术论文40余篇，文章被引用400余次。申请国家发明专利10余项，获山东省高校优秀科研成果奖三等奖1项，获中国石油大学（华东）优秀科技成果奖二等奖2次。

 

Office：基础实验楼C-116

E-mail：haolanzhong@upc.edu.cn

QQ：627752694；微信：15269263562

 

教育经历：

2008/09 – 2012/12，电子科技大学，电子薄膜与集成器件国家重点实验室，博士；

2002/09 – 2005/04，电子科技大学，材料系，硕士；

1998/09 – 2002/07，山东师范大学，物理系，学士。

 

工作经历：

2015/11-2016/11，美国加州伯克利大学，材料科学与工程系，访问学者

2012/12-2015/11，中国石油大学（华东），材料物理与化学系，副教授

2008/01-2008/08，中国石油大学（华东），材料物理系，讲师

2005/04-2007/12，中国石油大学（华东），材料物理系，助教

 

主要研究领域：

（1）   高效光伏太阳能电池材料的设计、制备与表征

    光伏发电是近些年发展最快，也是最具经济潜力的能源开发领域之一，太阳能电池则是光伏发电系统的核心部分。为实现太阳能电池转换效率的大幅提高和生产成本的显著降低，各种新型材料体系不断涌现，包括石墨烯类材料、硫化物类层状材料、高分子聚合物等。我们的研究将从追求单一材料性能极限转移到异质材料体系的性能耦合领域，致力于高效光伏太阳能电池材料的结构设计、生长控制、界面修饰和性能优化，为研制光伏太阳能电池器件提供新的材料选择。

（2）   低功耗自驱动光电探测与气体敏感材料及器件研制

    无论是常规的光电探测器还是传统的气体传感器件，外加偏置电源是它们工作的必需驱动力。这些外接电源既增加了器件电路设计的复杂性，也增加了加工成本，更限制了它们在特殊环境和条件下的使用。为此，利用特定新型材料的无源性能特征，包括光伏、压电、铁电等特征，我们致力于研制开发自驱动电子器件，如自驱动紫外光探测器、红外光探测器、自发电气体传感器等，这类器件在无需任何外加电源的条件下能完成光电和气体探测，为发展低功耗和环境友好型电子器件探索新的技术思路和发展方向。

 

主持或参加科研项目及人才计划项目情况：

6、国家自然科学基金青年项目，2016/01-2018/12，二硫化钼-硅异质结材料的制备、微结构与氢气敏感性能研
究，2/6。

5、 中国石油大学（华东）拔尖人才计划，2015/01-2017/12，新能源与环境材料，1/1。

4、 中国石油大学（华东）科技专项，2014/05-2016/06，MoS2/Si异质薄膜材料的界面修饰、掺杂效应和光伏性能研究，1/6。

3、 国家自然科学基金青年项目，2012/01-2014/12，LiNbO_3/ZnO异质结构的制备及电学性能，1/5。

2、 中国石油大学（华东）自主创新项目，2011/06-2013/06，LN/AlGaN/GaN增强型场效应晶体管的研制，主持，1/5。

1、 山东省自然科学基金青年项目，2010/01-2012/12，铌酸锂薄膜/氮化镓半导体集成结构的制备及电学性能研究，1/6。

 

已发表代表性文章（*通讯作者）：

[42]  Lanzhong Hao*, Yunjie Liu, Wei Gao, Yanmin Liu, Zhide Han, Lianqing Yu, Qingzhong Xue and Jun Zhu. High Hydrogen Sensitivity of Vertically Standing Layered MoS₂/Si Heterojunctions. Journal of Alloys and Compounds 2016, 682: 29-34.  (IF:2.9)

[41] Lanzhong Hao*, Yunjie Liu, Wei Gao, Zhide Han, Yanmin Liu, Zhijie Xu and Jun Zhu. Self-Powered Photosensing Characteristics of Amorphous Carbon/Silicon Heterostructures. RSC Advances 2016, 6: 40192-40198.  (IF:3.8)

[40] Lanzhong Hao*, Wei Gao, Yunjie Liu, Yanmin Liu, Zhide Han, Qingzhong Xue and Jun Zhu. Self-Powered Broadband, High-Detectivity and Ultrafast Photodetectors Based on Pd-MoS₂/Si Heterojunctions. Physical Chemistry Chemical Physics 2016, 18:1131-1139. (IF:4.5)

[39] Lanzhong Hao*, Yunjie Liu, Wei Gao, Yanmin Liu, Zhide Han, Qingzhong Xue and Jun Zhu. Enhanced Photovoltaic Characteristics of MoS₂/Si Hybrid Solar Cells by Metal Pd Chemical Doping. RSC Advances 2016, 6:1346-1350. (IF:3.8) 

[38] Yunjie Liu, Wenyue Guo,Xiaoqing Lu, Wei Gao, Guixia Li, Yahui Guo, Jun Zhu, Lanzhong Hao*. Density Functional Theory Study of Hydrogenation of S to H₂S on Pt-Pd Alloy Surfaces. RSC Advances 2016,6:6289-6299. (IF:3.8)

[37]  Yunjie Liu, Lanzhong Hao*, Jun Zhu,Wanli Zhang, Lianqing Yu, Wenyue Guo. Photoswitching Characteristics of LiNbO₃/ZnO/n-Si Heterojunction. Key Engineering Materials 2015, 655: 186-190. (EI)

[36] Yunjie Liu, Lanzhong Hao*, Wei Gao, Yanmin Liu, Guixia Li, Qingzhong Xue, Wenyue Guo, Lianqing Yu, Zhipeng Wu, Xiaohui Liu, Huizhong Zeng, Jun Zhu.Growth and Humidity-Dependent Electrical Properties of Bulk-like MoS₂ Thin Films on Si. RSC Advances 2015, 5: 74329-74335. (IF:3.8)

[35] Lanzhong Hao*, Wei Gao, Yunjie Liu,  Zhide Han, Qingzhong Xue, Wenyue Guo, Jun Zhu, Yanrong Li. High-Performance n-MoS₂/i-SiO₂/p-Si Heterojunction Solar Cells. Nanoscale 2015, 7: 8304-8308.（IF:7.3）

[34] Lanzhong Hao*, Yunjie Liu,  Wei Gao, Zhide Han, Qingzhong Xue, Huizhong Zeng, Zhipeng Wu, Jun Zhu, Wanli Zhang. Electrical and Photovoltaic Characteristics of MoS₂/Si p-n Junctions. J. Appl. Phys. 2015, 117: 114502-1-5. （IF:2.1）

[33] Yunjie Liu, Lanzhong Hao*, Wei Gao, Zhipeng Wu, Yali Lin, Guixia Li, Wenyue Guo, Lianqing Yu, Huizhong Zeng, Jun Zhu, Wanli Zhang. Hydrogen Gas Sensing Properties of MoS₂/Si Heterojunction. Sensors and Actuators B: Chemical 2015, 211: 537-543. （IF:4.1）

[32] Yunjie Liu, Lanzhong Hao*, Wei Gao, Qingzhong Xue, Wenyue Guo, Zhipeng Wu, Huizhong Zeng, Jun Zhu, Wanli Zhang. Electrical Characterization and Ammonia Sensing Properties of MoS₂/Si p–n Junction. J. Alloys and Compounds. 2015, 631: 105-110. （IF:2.9）

[31] Yali Lin, J. Zhu, Zhipeng Wu, Wenbo Luo, Xingpeng Liu, Shijie Wu, Lanzhong Hao. Enhanced Ferroelectric Properties of (111)-Oriented Pb(Hf_0.3Ti_0.7)O₃ Thin Films Deposited Using Self-Buffered Layer. J. Alloys and Compounds. 2015, 627: 182-185. （IF:2.9）

[30] Lanzhong Hao*, Yanrong Li, Jun Zhu, Zhipeng Wu, Xingzhao Liu, Wanli Zhang. Enhanced Memory Characteristics by Interface Modification of Ferroelectric LiNbO₃ Films on Si Using ZnO Buffers. J. Alloys and Compounds 2014, 599:108-113. （IF:2.9）

[29] Lanzhong Hao*, Yanrong Li, Jun Zhu, Zhipeng Wu, Xingzhao Liu, Wanli Zhang. Microstructure and Memory Characteristics of Ferroelectric LiNbO₃/ZnO Compsite Thin Films on Pt/TiO₂/SiO₂/Si Substrates. J. Alloys and Compounds 2014, 590: 205-209. （IF:2.9）

[28] Lianqing Yu, Qingqing Wang, Chenguang Liu, Yaping Zhang, Lanzhong Hao. Magnetically Stabilized Bed for Selective Hydrogenation of Benzene. Chemical Engineering & Technology 2014, 37(03): 392-397. （IF:2.2）

[27] Lanzhong Hao*, Yanrong Li, Jun Zhu, Zhipeng Wu, Jie Deng, Huizhong Zeng, Jihua Zhang. Enhancing Electrical Properties of LiNbO₃/AlGaN/GaN Transistors by Using ZnO Buffers. J. Appl. Phys. 2013, 114(02): 027022-1-5. （IF:2.1）

[26] Lanzhong Hao*, Yanrong Li, Jun Zhu, Zhipeng Wu, Xingzhao Liu, and Wanli Zhang. Fabrication and Electrical Properties of LiNbO₃/ZnO/n-Si Heterojunction. AIP Advances 2013, 3(04): 042106-1-15. （IF:1.4）

[25] Peng You, Chaojing Lu, Wanneng Ye, Lanzhong Hao, Jun Zhu, and Yichun Zhou. Growth of Highly Near-c-Axis Oriented Ferroelectric LiNbO₃ Thin Films on Si with a ZnO Buffer Layer. Appl. Phys. Lett. 2013, 102(05): 051914. （IF:3.5）

[24] Liwei Shi, Ling Wu, Yifeng Duan, Jing Hu, Xiangqing Yang, Gang Tang, Lanzhong Hao. Structural, Elastic, Electronic and Dynamical Properties of Ba₂MgWO₆ Double Perovskite under Pressure from First Principles. European Physical Journal B 2013, 86(01):30584. （IF:1.5）

[23] Min Zhang, Yuechan Kong, Jianjun Zhou, Fangshi Xue, Liang Li, Wenhai Jiang, Lanzhong Hao. Polarization and Interface Charge Coupling in Ferroelectric/AlGaN/GaN Heterostructure. Appl. Phys. Lett., 2012, 100(11): 112902. （IF:3.5）

[22] Lanzhong Hao*, Jun Zhu, Yunjie Liu, Shuili Wang, Huizhong Zeng, Xiuwei Liao, Yingying Liu, Huawei Lei, Ying Zhang, Wanli Zhang, and Yanrong Li. Integration and Electrical Properties of Epitaxial LiNbO₃ Ferroelectric Film on n-Type GaN Semiconductor. Thin Solid Films 2012, 520(7): 3035. （IF:1.8）

[21] Lanzhong Hao*, Jun Zhu, Yunjie Liu, Xiuwei Liao, Shuili Wang, Wanli Zhang, and Yanrong Li. Normally-off Characteristics of LiNbO₃/AlGaN/GaN Ferroelectric Field Transistor. Thin Solid Films 2012, 520(11): 6313. （IF:1.8）

[20] Liwei Shi, Ling Wu, Yifeng Duan, Lanzhong Hao, Jing Hu, Xiangqing Yang, Gang Tang. Band Structure, Phase Transition, Phonon and Elastic Instabilities in Calcium Polonide under Pressure: A First-principles Study. Solid State Communications 2012, 152(22): 2058. （IF:1.7）

[19] Lanzhong Hao*, Jun Zhu, and Yanrong Li. Integration between LiNbO₃ Ferroelectric Film and AlGaN/GaN System. Materials Science Forum 2011, 687(1): 303.

[18] Lanzhong Hao*, Yunjie Liu, Jun Zhu, Ying Zhang, Wanli Zhang, and Yanrong Li. Rectifying Current-Voltage Characte-ristics of LiNbO₃ Film/GaN Heterojunction. Chin. Phys. Lett. 2011, 28(10): 107703. （IF:1.0）

[17] Lanzhong Hao*, Jun Zhu, Huizhong Zeng, Ying Zhang, Wanli Zhang, and Yanrong Li. Enhanced Ferroelectric Properties of Epitaxial PZT Film with LAO Buffer. Thin Solid Films 2011, 520(2): 784. （IF:1.8）

[16] Lanzhong Hao*, Jun Zhu, Wenbo Luo, Huizhong Zeng, Yanrong Li, and Ying Zhang. Electron Trap Memory Character-istics of LN/AlGaN/GaN Heterostructure. Appl. Phys. Lett., 2010, 96(21): 212105. （IF:3.5）

[15] Huizhong Zeng, Lanzhong Hao, Wenbo Luo, Wen Huang, Yuan Lin, and Yanrong Li. Trapping Properties of LiNbO₃/AlGaN/GaN Metal-Ferroelectric-Semiconductor Heterostructure Characterized by Temperature Dependent Conductance Measurements. J. Appl. Phys. 2010, 107(8): 084508. （IF:2.1）

[14] Lanzhong Hao, Jun Zhu, Wenbo Luo, Huizhong Zeng, Yanrong Li, Wen Huang, Xiuwei Liao. Epitaxial Fabrication and Memory Effect of Ferroelectric LiNbO₃ Film/AlGaN/GaN Heterostructure. Appl. Phys. Lett., 2009, 95(23): 232907. （IF:3.5）

[13] Qingbin Zheng, Qingzhong Xue, Keyou Yan, Qun Li, Xili Gao, Lanzhong Hao. Effect of Chemisorption on the Interfacial Bonding Characteristics of Carbon Nanotube-Polymer Composites. Polymer 2008, 49(3): 800. （IF:3.8）

[12] Qun Li, Qingzhong Xue, Lanzhong Hao, Xili Gao, Qingbin Zheng. Large Dielectric Constant of the Chemically Functionalized Carbon Nanotube/Polymer Composites. Composite Sci. Tech. 2008, 68(10): 2290. （IF:3.6）

[11] Qun Li, Qingzhong Xue, Qingbin Zheng, Lanzhong Hao, Xili Gao. Large Dielectric Constant of the Chemically Purified Carbon Nanotube/Polymer Composites. Mater. Lett. 2008, 62(26): 4229. （IF:2.5）

[10] Qingbin Zheng, Qingzhong Xue, Keyou Yan, Qun Li, Xili Gao, Lanzhong Hao. Influence of Chirality on the Interfacial Bonding Characteristics of Carbon Nanotube Polymer Composites. J. Appl. Phys. 2008, 103(4): 044302. （IF:2.1）

[9] Liubin Huang, Lanzhong Hao, Qingzhong Xue, Keyou Yan. Abnormal Current-Voltage Characteristics and Metal–Insulator Transition of Amorphous Fe-Doped Carbon Films on Si Substrates. Physica B 2008, 403:3434.（IF:1.3）

[8] Lanzhong Hao, Qingzhong Xue, Xili Gao, Qun Li, Qingbin Zheng, Keyou Yan. Forward Tunneling Effect and Metal-Insulator Transition in the BaTiO₃/Si n-n Junction. Appl. Phys. Lett. 2007, 91(21): 212105. （IF:3.5）

[7] Xili Gao, Qingzhong Xue, Lanzhong Hao, Qingbin Zheng, Qun Li. Effect of Gas Pressure on Current-Voltage Characteristics of Amorphous Carbon Film/Silicon Heterojunction. Appl. Phys. Lett. 2007, 91(9): 092104. （IF:3.5）

[6] Xili Gao, Qingzhong Xue, Lanzhong Hao, Qun Li, and Qingbin Zheng. Ammonia Sensitivity of Amorphous Carbon Film/Silicon Heterojunctions. Appl. Phys. Lett. 2007, 91(12):122110. （IF:3.5）

[5] Lanzhong Hao, Qingzhong Xue, Xili Gao, Qun Li, Qingbin Zheng. Abnormal I-V Characteristics and Metal-Insulator Transition of Fe-Doped Amorphous Carbon/Silicon p-n Junction. J. Appl. Phys. 2007, 101(5): 053718. （IF:2.1）

[4] Qingbin Zheng, Qingzhong Xue, Keyou Yan, Lanzhong Hao, Qun Li, Xili Gao. Investigation of Molecular Interactions Between SWNT and Polyethylene/Polypropylene/Polystyrene Molecules. J. Phys. Chem. C 2007, 111(14): 4628. （IF:4.1）

[3] Keyou Yan, Qingzhong Xue, Qingbin Zheng, Lanzhong Hao. Interface Effect of the Effective Electrical Conductivity of Carbon Nanotube Composites. Nanotech. 2007, 18(25): 255705. （IF:3.1）

[2] Xili Gao, Qingzhong Xue, Lanzhong Hao, Qun Li, Qingbin Zheng. Abnormal Current-Voltage Characteristics and Metal-Insulator Transition of Amorphous Carbon Film/Silicon Heterojunction. Phys. Lett. A 2007, 371(5-6): 318. （IF:1.6）

[1] Yan Li, Lanzhong Hao, Hong Deng, Fugui Chen, and Yanrong Li. Ferroelectric Properties of LAO/BTO Superlattices Prepared by Laser Molecular-Beam Epitaxy. J. Appl. Phys. 2005, 97(9): 094103. （IF:2.1）

 

已申请或授权专利：

[12] 郝兰众、高伟、刘云杰、韩治德、薛庆忠，一种钯-二硫化钼-二氧化硅-硅-二氧化硅-铟多结红外光探测器件及其制备方法，国家发明专利，201510386608.7。

[11] 郝兰众、刘云杰、高伟、于濂清，一种具有氢气敏感效应的二硫化钼/硅异质薄膜器件及其制备方法和应用，国家发明专利，201410254110.0。

[10] 郝兰众、刘云杰、高伟、于濂清、薛庆忠，一种具有氨气敏感效应的二硫化钼薄膜器件及其制备方法和应用，国家发明专利，201410450273.6。

[9] 郝兰众、高伟、刘云杰、韩治德、薛庆忠，一种MoS₂/Si p-n结太阳能电池器件及其制备方法，国家发明专利，  

    201410699047.1。

[8] 郝兰众、刘云杰、高伟、韩治德、薛庆忠，一种Pd-MoS₂异质结光伏太阳能电池器件及其制备方法，国家发明专利，ZL201510558994.3。

[7] 郝兰众、高伟、刘云杰、韩治德、薛庆忠，一种二硫化钼/缓冲层/硅n-i-p太阳能电池器件及其制备方法，国家发明专利，ZL201510034090.0。

[6] 朱俊、郝兰众、吴智鹏、李言荣、张万里，铁电薄膜/缓冲层/半导体集成器件及制备方法，国家发明专利，ZL201210327259.8。

[5] 朱俊、郝兰众、吴智鹏、李言荣、张万里，含铁电层的GaN基增强型器件及制备方法，国家发明专利，ZL201210327192.8。

[4] 朱俊、郝兰众、李言荣、张万里，一种铁电薄膜栅增强型GaN异质结场效应晶体管，国家发明专利，ZL201110251405.9。

[3] 朱俊、廖秀尉、郝兰众、李言荣，半导体异质结场效应晶体管栅结构的制备方法，国家发明专利，ZL201110266824.X。

[2] 薛庆忠、郝兰众、高熙礼、李群、郑庆彬，一种具有气压敏感效应的碳/硅异质结新材料及其应用，国家发明专利，ZL200710013464.6。

[1] 薛庆忠、高熙礼、郝兰众、郑庆彬、李群，一种具有NH₃气体敏感效应的碳/硅异质结材料，国家发明专利，ZL200710013468.4。